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肖特基二极管的作用 [复制链接]

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发表于 2019-1-30 11:16:22 |只看该作者 |倒序浏览
  肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管,是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管。与普通二极管(多指用PN结形成的硅二极管)相比最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降更低,仅0.4V左右。它也有一些缺点:耐压比较低,漏电流较大。其多用作高频、低压、大电流整流二极管(比如开关电源次极整流二极管),续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。而普通二极管只能用在低频整流场合,耐压可以做得更高。
  肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度逐渐降低,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来消除边缘区域的电场,提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻,其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层,其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数,N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒,如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极,N型基片接电源负极)时,肖特基势垒层变窄,其内阻变小;反之,若在肖特基势垒两端加上反向偏压时,肖特基势垒层则变宽,其内阻变大。
  综上所述,肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管,而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管,采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世,这不仅可节省贵金属,大幅度降低成本,还改善了参数的一致性。
  肖特基二极管BAR43SFILM http://www.dzsc.com/ic-detail/9_2875.html的详细规格参数
  产品: Schottky Diodes
  安装风格: SMD/SMT
  封装 / 箱体: SOT-23
  If - 正向电流: 100 mA
  Vrrm - 重复反向电压: 30 V
  Vf - 正向电压: 1 V
  Ifsm - 正向浪涌电流: 0.75 A
  配置: Dual Series
  技术: Si
  Ir - 反向电流 : 0.5 uA
  最小工作温度: - 65 C
  最大工作温度: + 150 C
  系列: BAR43
  封装: Cut Tape
  封装: MouseReel
  封装: Reel
  高度: 0.95 mm
  长度: 2.9 mm
  工作温度范围: + 150 C
  端接类型: SMD/SMT
  类型: Small Signal Schottky Diode
  宽度: 1.3 mm
  商标: STMicroelectronics
  CNHTS: 8541100000
  HTS Code: 8541100070
  MXHTS: 85411001
  产品类型: Schottky Diodes & Rectifiers
  工厂包装数量: 3000
  子类别: Diodes & Rectifiers
  TARIC: 8541100000
  trr - 反向恢复时间 : 5 ns
  单位重量: 8 mg
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