Vishay推出新型超薄SMF封装TMBS整流器,节省空间且提高功率密度和能效

发布时间:2019年01月31日 12:01    发布者:eechina
关键词: 势垒 , 肖特基 , 整流器
1 A至3 A器件反向电压从45 V到150 V,正向压降为0.36 V

Vishay推出15款采用eSMP系列超薄SMF (DO-219AB)封装新型1 A、2 A和3 A器件,扩充其表面贴装TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器产品。Vishay General Semiconductor器件比其他SMA封装整流器节省空间,反向电压从45 V到150 V,3 A电流等级达到业内SMF封装器件最高水平。

20190130_新型超薄SMF封装TMB.jpg


目前,3 A电流等级肖特基整流器一般采用SMA封装。日前发布的器件采用更薄的SMF 封装,具有高正向电流的同时增加功率密度。器件封装尺寸 3.7 mm x 1.8 mm,高度降低至0.98 mm, 比SMA封装薄46%,电路板占位空间减少49%。

1 A、2 A和3 A器件正向压降分别为0.36 V、0.40 V和0.43 V,可降低续流二极管和极性保护二极管功耗,提高效率。应用于商业和工业用高频逆变器、DC/DC转换器等,器件还提供AEC-Q101认证版本,可用于汽车应用。

新整流器最高工作结温达+175 °C,MSL潮湿敏感度等级达到 J-STD-020 的1级,LF最高峰值为+260 °C。器件适用于自动贴片工艺要求,符合RoHS标准,无卤素。

器件规格表:
器件型号IF(AV) (A)VRRM (V)IFSM (A)IFTJ条件下VF 最大TJ (°C)
VF (V)IF (A)TA (°C)
V1FL45145300.361125150
V1F6160300.451125150
V1FM101100300.591125175
V1FM121120300.611125175
V1FM151150300.641125175
V2FL45245400.42125150
V2F6260500.452125150
V2FM102100400.622125175
V2FM122120400.652125175
V2FM152150400.692125175
V3FL45345500.433125150
V3F6360600.493125150
V3FM103100550.623125175
V3FM123120600.643125175
V3FM153150400.663125175

新款TMBS整流器现可提供样品并已实现量产,大宗订货供货周期为12周。关于上表器件型号的更多信息,请访问www.vishay.com/doc?48477
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